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[청년 Hy-Po 4기] 강의노트 작성하기 - 반도체 공정 7편
안녕하세요!
SK 하이닉스 청년 Hy-Po 4기 교육생이자 서포터즈 2기로 활동중인 교육생 김세영입니다!
이번편은 미션은 아니지만, 저번 미션 5에서 말씀드렸던 반도체 공정의 강의노트 후속편들을 정리해보려고 합니다!
단순히 핵심만 집중적으로 공략하려고 해요!
그냥 제가 복습하고 공부하면서 작성하는 강의노트라고 생각하시면 될 것 같습니다😁😁
이번편은 반도체 공정의 7번째 편인 "Metalization" 입니다!
그럼 바로 시작해볼까요?
📝 금속 배선 공정 (Metalization)

- 신호가 잘 전달되도록 반도체 회로 패턴에 따라 전기길(금속선)을 연결하는 작업
- 금속 배선 공정 시 사용되는 금속 재료의 필요 조건
- 웨이퍼와의 부착성
- 낮은 전기 저항
- 열적, 화학적 안정성
- 패턴 형성의 용이성
- 높은 신뢰성
- 낮은 제조 가격
- 이 조건에 부합하는 금속이 바로 Al, Cu, W 임
📝 금속 배선 공정에 사용되는 증착법
- 진공 증착 (Evaporator)
- 단순한 구조와 낮은 복잡도의 배선에 적합
- 화학적기상증착 (CVD)
- 복잡한 구조나 높은 품질의 배선 생성에 적합
📝 금속 배선 공정 단계

- Barrier Metal 증착
- 반도체 물질과 금속 사이의 화학적 반응을 차단
- 금속이 반도체 레이어로 침투하는 것을 방지
- 소자 손상 방지

- 금속 재료 증착
- Al, W
- 금속 증착 → Photolithography → Etching → 유전체 증착 → CMP
- Cu
- 유전체 증착 → Photolithography → 금속 증착 → CMP
- Cu는 etching 방식을 사용할 수 없기 때문에 Damascene 공정을 이용
- Al, W
이렇게 해서 반도체 공정 7편! Metalization 공정에 대한 핵심 정리가 끝났습니다!
이제 반도체 공정에 관한 개념 정리 포스트는 단 한개! 테스트 공정 & Package 공정에 대한 글만 남았는데요!
비록 간단한 개념정리고...😅😅😅
하지만!!!
그래도 대장정의 막이 다가오는 것 같아 시원 섭섭 합니다...!😂😂😂
반도체 공정 파트의 마지막 포스트!! 기대해주세용ㅎㅎ😘😘😘
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