[청년 Hy-Po 4기] 강의노트 작성하기 (반도체 공정 6편)

[청년 Hy-Po 4기] 강의노트 작성하기 - 반도체 공정 6편

 

안녕하세요!

SK 하이닉스 청년 Hy-Po 4기 교육생이자 서포터즈 2기로 활동중인 교육생 김세영입니다!

 

이번편은 미션은 아니지만, 저번 미션 5에서 말씀드렸던 반도체 공정의 강의노트 후속편들을 정리해보려고 합니다!

단순히 핵심만 집중적으로 공략하려고 해요!

그냥 제가 복습하고 공부하면서 작성하는 강의노트라고 생각하시면 될 것 같습니다😁😁

이번편은 반도체 공정의 6번째 편인 "Ion implantation" 입니다!

 

그럼 바로 시작해볼까요?

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📝 이온 주입 공정 (Ion implantation)

[출처] https://eng.thesaurus.rusnano.com/wiki/article887

• 웨이퍼를 반도체로 만드는 과정
• 반도체가 전기적 특성을 갖게 하여 이온을 목표물의 표면을 뚫고 들어갈 만큼 큰 에너지를 갖도록 전기장으로 가속하여 목표물 속으로 넣어주는 공정

 

📝 이온 주입 공정 방법

• 열확산 공정 (Thermal Diffusion)
  • 높은 온도로 가열해 반도체 내부에 불순물이 확산
  • 웨이퍼 손상이 적음
  • 일괄 처리 가능
  • 고온 공정으로 인한 Thermal budget이 나쁨
  • 농도-접합 깊이의 독립적 제어 불가
  • 등방성
• 이온 주입 공정 (Ion Implantation)
  • 이온을 목표물 표면을 뚫고 들어갈 만큼 큰 에너지를 갖도록 전기장을 가속하여 반도체 내부로 넣어주는 방법
  • 정확한 도핑량과 깊이 제어
  • 농도-접합 깊이의 독립적 제어
  • 비등방성
  • 이온주입 손상
  • 채널링

 

📝 이온 주입 공정 과정

1. Ion Implantation
   • Medium Ion Implanter 장비 사용
2. Annealing
   • RTA (Rapid Thermal Annealing) 장비 사용
3. Inspection
   • 4 point probe 장비 사용

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이렇게 해서 반도체 공정 6편! Ion Implantation 공정에 대한 핵심 정리가 끝났습니다!

앞으로 반도체 공정에 관련된 개념 정리는 아직 남았으니까.. 앞으로도 기대해주세요~!!!😋😋😋