[엔지닉 X 인하대학교] 반도체 공정 실습 - 3일차 (2)

[엔지닉 X 인하대학교] 반도체 공정 실습 3일차 오후 수업 <C 측정 및 고찰>

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C - V 측정

• 최종적으로 MOS 소자 측정
• 그 중 한가지 방법 : Capacitance 측정
• 측정 장비는 high frequency에서 측정 가능
  • 따라서 C - V curve는 아래와 같이 나온다.

내가 만든 소자 capacitance 그래프 (origin tool 사용)

• contack은 2군데  → Metal / Silicon (구리 back contack)
• LCR Meter 측정 → conductance 값도 측정됨 but 실습때는 사용하지 않음
• capacitance 은 d가 가장 큰 원인임

• 실리콘 밴드갭이 작아 빛에 의해서도 carrier 발생 → 노이즈 낄 수 있으니 제거해야 함
• bias : 2.5V ~ -12V 까지 -0.1V step씩 측정
• high frequency : 100,000Hz
• 어느 영역의 값을 쓰냐에 따라 두께가 달라진다 → Accumulation 영역 (가장 정확한 두께 나올 수 있음)

 

공정실습 고찰

• 토론 주제 : Thermal oxidation에 비해 LPCVD oxide 두께의 오차율 증가 원인?
• CET 계산
  • Ellipsometer 측정 값 : 681
  • CET : 498
• 오차율 증가 원인?
  • LPCVD
    • A + B → C + 부산물
    • 두개의 gas를 합쳐 C를 만든다
    • 성장할 때 이물질이 같이 웨이퍼 내에 침전될 수 있음 이로 인해 두께가 달라질 수 있음 (순수한 SiO2가 아님) → 유전 상수 차이날 수 있음
    • densification 차이
  • Thermal oxide
    • Si에 산소를 줘서 성장 시키는 공정
    • 퀄리티가 좋고 순수한 SiO2 막질을 생성한다
    • gate oxide 쌓을 때 이 방식을 채택함